CMOS Prozess

Dieses Applet zeigt den stark vereinfachten Ablauf eines CMOS-Prozesses zur Herstellung integrierter Schaltungen. Im Gegensatz zum NMOS Prozess erlaubt der CMOS-Prozess die gleichzeitige Herstellung von n- und p-Kanal Feldeffekttransistoren auf einem Chip.

archive="ImageBrowser.jar" code="ImageBrowser.ImageBrowser1.class" alt="Hinweis: Zur Darstellung des Applets ist ein Java-fähiger Webbrowser mit aktiviertem Java erforderlich." width="420" height="470" align="middle"> Darstellung des Applets ist ein Java-fähiger Webbrowser mit aktiviertem Java erforderlich. value="61"/> value="./CMOS_images/"/> value="Animation"/> value="gif"/> value="410"/> value="284"/> value="Herstellung der n-Wanne"/> value="Herstellung der Isolation"/> value="Herstellung der Gates"/> value="Herstellung von Source und Drain des n-MOS"/> value="Herstellung von Source und Drain des p-MOS"/> value="Herstellung der Kontakte"/> value="Herstellung der Verdrahtung"/> value="Aufbringen der Schutzschicht"/> value="Auf das Halbleitergrungmaterial Silizium ..."/> value="... wird zunächst eine Oxidschicht ..."/> value="... und eine Schicht Siliziumnitrid aufgebracht."/> value="Zur Strukturierung wird der Wafer mit einem fotoempfindlichen Material beschichtet, ..."/> value="... welches anschließend mit einer Maske belichtet wird. An den Stellen, an denen die Maske durchlässig ist, gelangt Licht auf das fotoempfindliche Material, was sich daraufhin chemisch verändert."/> value="Der chemisch veränderte Fotoresist ..."/> value="... kann nun entfernt werden."/> value="In einem weiteren Ätzprozess wird die Oxid- und die Siliziumnitridschicht in den Bereichen entfernt, die nicht durch darüberliegendes Fotoresist geschützt sind."/> value="Bei der anschließenden Bestrahlung mit Ionen dringen diese daher nur in die zuvor freigeätzten Bereiche ein ..."/> value="... und formen dort die so genannte n-Wanne."/> value="Nach dem Entfernen von Oxid und Siliziumnitridschicht ..."/> value="... wird erneut eine Oxidschicht aufgebracht ..."/> value="... sowie eine Schicht Siliziumnitrid."/> value="Zur Strukturierung erfolgt das Aufbringen von Fotoresist ... "/> value="... der mit einer weiteren Maske an den Stellen belichtet wird, wo später eine isolierde Oxidschicht zwischen den Bauteilen entstehen soll."/> value="Der belichtete Fotresist ..."/> value="... wird entfernt ..."/> value="... und die ungeschützte Oxid-Nitrid-Schicht weggeätzt."/> value="Nach dem vollständigen Entfernen des Fotoresists ..."/> value="... lässt man Oxid aufwachsen, welches sich nur an den nicht durch eine Siliziumnitridschicht abgedeckten Stellen anlagert ..."/> value="... und entfernt das Siliziumnitrid."/> value="Zur Herstellung der Gateelektroden wird Polysilizium abgeschieden ..."/> value="... sowie Fotoresist aufgebracht ..."/> value="... der belichtet wird, wobei die Stellen abgedeckt sind, an denen die Gateelektroden entstehen sollen."/> value="Nach dem Belichten ... "/> value="... wird der chemisch veränderte Fotoresist entfernt ..."/> value="... und das ungeschützte Polysilizium weggeätzt."/> value="Danach wird der Fotoresist vollständig entfernt ..."/> value="... und eine neue Schicht des lichtempfindlichen Materials großflächig aufgebracht."/> value="In einen neuen Maskenschritt wird der Bereich belichtet, in dem die n-MOS-Transistoren liegen."/> value="Nach dem Entfernen der Maske ..."/> value="... wird der belichtete Fotoresist entfernt ..."/> value="... und es erfolgt die Implantation der n-dotierten Source- und Drain-Gebiete."/> value="Der verbliebene Fotoresist ..."/> value="... wird in einem weiteren Prozessschritt entfernt ..."/> value="... und eine neue Schicht des fotoempfindlichen Materials aufgetragen, ..."/> value="... der an den Stellen belichtet wird, wo die p-Kanal-Transistoren entstehen sollen."/> value="Der belichtete Fotorsist ..."/> value="... wird entfernt ..."/> value="... und es erfogt die Implantation der Source- und Drain-Gebiete der p-Kanal Transistoren."/> value="Der verbliebene Fotoresist ..."/> value="... wird entfernt ..."/> value="... und eine isolierende Oxidschicht aufgebracht, ..."/> value="... die mit Fotoresist abgedeckt wird."/> value="Das Belichten des Fotoresists erfolgt an den Stellen, an denen später Kontakte entstehen sollen."/> value="Der belichtete Fotoresist ..."/> value="... wird entfernt ..."/> value="... und das ungeschützte Oxid weggeätzt."/> value="Nach dem vollständigen Entfernen des Resists ..."/> value="... wird Metall aufgedampft ... "/> value="... und der Wafer planarisiert, woduch das Metall nur in den zuvor definierten Kontaktlöchern verbleibt."/> value="Es folgt wiederum das Aufwachsen einer Oxidschicht ..."/> value="... und einer Fotoresistschicht, ..."/> value="... die an den Stellen belichtet wird, wo Leiterbahnen entstehen sollen."/> value="Der belichtete Fotoresist ..."/> value="... wird entfernt ..."/> value="... und das ungeschützte Oxid teilweise weggeätzt."/> value="Nach dem vollständigen Entfernen des Resists ..."/> value="... wird wiederum Metall aufgedampft ... "/> value="... und der Wafer bis auf das Oxid planarisiert. Das Metall verbleibt lediglich in den zuvor in das Oxid geätzten Vertiefungen."/> value="Eine Siliziumnitridschicht schützt schlißlich den Wafer vor dem Eindingen von Verunreinigungen und Feuchtigkeit."/>