Drift
Das folgende Applet verdeutlicht den Einfluss eines elektrischen Feldes auf freie Ladungsträger in einem Halbleiter.
Man sieht:
- Je nach Typ (n oder p) sind freie Elektronen oder Löcher in einem Halbleiter vorhanden.
- Legt man eine Spannung U an die Struktur, so bewirkt dies ein elektrisches Feld E im Halbleiter.
- Unter Einfluss des elektrisches Feldes E bewegen sich die freien Ladungsträger in dem Halbleiter, was zu einem elektrischen Strom I führt.
- Je größer die Spannung ist, um so größer ist das elektrische Feld und damit die Geschwindigkeit der Ladungsträger, was eine Zunahme des Stromes bedeutet. Der Zusammenhang zwischen elektrischem Feld und der Ladungsträgergeschwindigkeit ist die so genannte Beweglichkeit.