Ladungsträgerdichte

Das folgende Applet zeigt die Abhängigkeit der Ladungsträgerdichten n0 und p0 abhängig von der Lage des Ferminiveaus.

Hinweis: Zur Darstellung des Applets ist ein Java-fähiger Webbrowser mit aktiviertem Java erforderlich.

Man sieht:

Liegt das Ferminiveau WF in der Mitte zwischen den beiden Bandkanten auf dem Intrinsicniveau Wi, so sind die Elektronendichte und die Löcherdichte gleich der Intrinsicdichte ni.
Eine Verschiebung des Ferminiveaus zur Leitungsbandkante (was einem n-Typ Halbleiter entspricht) führt zu einem Anstieg der Elektronendichte n0 und einer Abnahme der Löcherdichte p0.
Bei einem p-Typ Halbleiter, bei dem das Ferminiveau zur Valenzbandkante verschoben ist, ist dagegen die Löcherdichte erhöht und die Elektronendichte vermindert.
In allen Fällen gilt, dass (im thermodynamischen Gleichgewicht) das Produkt aus Elektronendichte und Löcherdichte gleich ni^2 ist (Massenwirkungsgesetz), was sich in der logarithmischen Darstellung deutlich zeigt.