Ladungsträgerverteilung im Bipolartransistor
Das folgende Applet veranschaulicht die Ladungsträgerverteilung eines Bipolartransistors im Normalbetrieb für unterschiedliche Basisweiten.
Man sieht:
- Für sehr große Basisweiten xB entspricht die Ladungsträgerverteilung der Basis-Emitter-Diode einem in Durchlassrichtung gepolten pn-Übergang. Der Wert von n' an der Stelle x=0 wird dabei von der Spannung UBE über der Basis-Emitter-Diode bestimmt. Mit zunehmendem Abstand von der Raumladungszone nehmen die Minoritätsträgerdichten für große Basisweiten dann exponentiell ab.
- Der Basis-Kollektor-Übergang des Transistors ist im Normalbetrieb in Sperrrichtung gepolt, so dass die Überschussladungsträgerdichten n' und p' an den Rändern der Basis-Kollektor-Raumladungszone praktisch null sind.
- Bringt man die beiden pn-Übergänge sehr dicht zusammen, d.h. ist die Basisweite xB sehr klein, wird aus dem exponentiellen Verlauf der Ladungsträger n' in der Basis (blaue Kurve) näherungsweise eine Gerade. Diese hat eine um so größere Steigung, je kleiner die Basisweite xB ist.