Bipolartransistor

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Man sieht:

• Für UBE=0V und UCE=5V ist sowohl der Basis-Kollektor Übergang als auch der Basis-Emitter Übergang in Sperrrichtung gepolt, so dass kein Strom durch den Transistor fließt, d.h. IE=IC=0.
• Erhöht man die Basis-Emitter Spannung auf etwa UBE=0,7V, so wird der Basis-Emitter Übergang in Durchlassrichtung gepolt. Dies führt (vgl. Diode) zum einen dazu, dass Löcher vom p-Gebiet (der Basis) in das n-Gebiet (den Emitter) diffundieren und dort rekombinieren. Zum anderen diffundieren Elektronen umgekehrt von dem n-Gebiet in die Basis. Da die Basisweite jedoch sehr klein ist, rekombinieren die Elektronen dort nicht, sondern gelangen bis in den n-dotierten Kollektor. Die angelegte Basis-Emitter Spannung führt somit zu einem Elektronenstrom vom Emitter durch das Basisgebiet bis hin zum Kollektor.